1、為了導通閘流管(或雙向可控硅)，必須有門(mén)極電流≧IGT ，直至負載電流達到≧IL 。這條件必須滿(mǎn)足，并按可能遇到的較低溫度考慮;

　　2、要斷開(kāi)(切換)閘流管(或雙向可控硅)，負載電流必須《IH， 并維持足夠長(cháng)的時(shí)間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的較高運行溫度下必須滿(mǎn)足上述條件;

　　3、設計雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限(WT2-，+);

　　4、為減少雜波吸收，門(mén)極連線(xiàn)長(cháng)度降至較低。返回線(xiàn)直接連至MT1(或陰極)。若用硬線(xiàn)，用螺旋雙線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。門(mén)極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅;

　　5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問(wèn)題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問(wèn)題，加入一幾mH 的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅;

　　6、假如雙向可控硅的VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一： 負載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt; 用MOV 跨接于電源，并在電源側增加濾波電路;

　　7、選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以較大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力;

　　8、若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負載上較好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無(wú)鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通;

　　9、器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線(xiàn)。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側;

　　10、為了長(cháng)期可靠工作，應保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ，其值相應于可能的較高環(huán)境溫度。